一、定義與原理
定義：等離子去膠是利用等離子體技術，通過氣體放電產生高能粒子，這些粒子能夠解離化學鍵、改變分子結構，從而有效去除物體表面的污染物、殘留膠層等雜質的過程。
原理：在特定壓強和電壓條件下，通過氣輝放電的方式產生等離子體。等離子體由電子、離子、自由基等活性粒子組成，具有很高的能量和反應活性。當等離子體直接噴向被處理表面時，會與表面物質發(fā)生化學反應，分解并去除污染物，同時增加表面的活性，提升潤濕性和附著力。
二、優(yōu)勢與特點
高效去膠：等離子體的高反應活性使其能夠迅速破壞膠體顆粒的結構，實現膠體的去除。
環(huán)保節(jié)能：無需使用化學溶劑，減少二次污染和資源消耗，符合環(huán)保要求。
精準控制：具備高精度的控制和均勻性控制，確保處理效果的一致性。
廣泛適用：適用于多種材料和工藝，包括硅片、玻璃片、金屬等。
三、工藝參數與影響因素
等離子去膠的效果受多個工藝參數的影響，包括射頻頻率、清洗時間、真空壓力值以及腔體溫度等。這些參數需要根據具體的去膠需求和材料特性進行調整和優(yōu)化，以獲得最佳的去膠效果。
岱美設計生產的先進干法去膠、掩膜蝕刻系列產品，可用于大批量去膠與大劑量離子注入后去膠，同時還可用于各種硬掩膜層干法蝕刻。
微波等離子清洗，等離子去膠工藝擁有低污染顆粒，低成本大規(guī)模量產，高均勻性與高可復制性等工藝特征。采用高度模塊化設計，為廣大客戶提供多樣靈活配置方案，滿足不同的先進制程要求。
四、等離子去膠應用領域：
1、LDI后光刻膠去除；
2、光刻膠、聚合物去除（灰化）；
3、大劑量離子注入后光刻膠去除；
4、二氧化硅、氮化硅、氮化鈦掩膜蝕刻；
5、碳化硅、氮化鎵、鉭酸鋰、磷化銦材料工藝；
6、射頻濾波器BAW，SAW生產工藝中光刻膠去除；
7、MEMS應用、晶圓級封裝（PR、PI、BCB、PBO）。
