EVG810 LT 低溫等離子活化系統(tǒng)應(yīng)用：用于SOI，MEMS，化合物半導(dǎo)體和高級(jí)襯底鍵合的低溫等離子體活化系統(tǒng)

一、簡(jiǎn)介

       EVG810 LT （LowTemp™）低溫等離子活化系統(tǒng)是一個(gè)獨(dú)立單腔室系統(tǒng)，具有手動(dòng)操作功能。 處理室允許非原位處理（晶片一個(gè)接一個(gè)地激 活并且鍵合在等離子體活化室外部）。

二、特征

      用于低溫鍵合的表面等離子體活化（熔合/分子和中間層鍵合）

      任何晶圓鍵合機(jī)制的快動(dòng)力學(xué)

      無需濕法工藝

      低溫退火時(shí)的高鍵合強(qiáng)度（高400°C）

      適用于SOI，MEMS，化合物半導(dǎo)體和先進(jìn)封裝

      高度的材料兼容性（包括CMOS）

三、參數(shù)

       1.晶圓尺寸：50-200mm，100-300mm

       2.低溫等離子活化腔：

        工藝氣體：2種標(biāo)準(zhǔn)工藝氣體（N2和O2）

        通用大流量控制器：自校準(zhǔn)（高達(dá)20.000 sccm）

        真空系統(tǒng)：0.09 mbar

        打開/關(guān)閉腔室：自動(dòng)化

        裝載/卸載腔室：手動(dòng)（晶圓/基板放置在裝載銷上）

       3.備選功能：

        用于不同的晶圓尺寸的夾頭

        金屬離子激 活

        帶有氣體混合的附加工藝氣體

        帶渦輪泵的高真空系統(tǒng)：0.009 mbar的基礎(chǔ)氣壓

       4.符合LowTemp™等離子活化鍵合的材料系統(tǒng)

        Si：Si / Si，Si / Si（熱氧化，Si（熱氧化）/ Si（熱氧化）

        TEOS / TEOS（熱氧化）

        絕緣體鍺（GeOI）的Si / Ge

        硅/Si3N4

        玻璃（無堿浮法）：硅/玻璃，玻璃/玻璃

        化合物半導(dǎo)體：GaAs，GaP，InP

        聚合物：PMMA，環(huán)烯烴聚合物

        用戶可以針對(duì)上述內(nèi)容和其他材料使用“佳已知方法”配方（可根據(jù)要求提供完整列表）